バックグラインド(BG)・ダイシング受託加工

バックグラインド(BG)・ダイシング受託加工

更新情報

  • SiCウェハーへのDAFテープ貼り付け加工が可能となりました※2023.12~
  • サイズダウン加工(例 6インチ⇒4インチ)が対応可能となりました※2021.11~
  • シリコンウェハー+サポートガラス貼り合わせ受託加工(100μm~)を開始しました※2021.4~
  • DAFテープダイシング加工が対応可能となりました※2019.6~
  • TAIKO®ウェハー研削加工(6,8インチ)及びダイシング加工(6,8インチテープマウント、サークルカット)もご相談に応じます※2018.9~
  • サファイア・SiC・GaAs・GAN・LT/LNの鏡面研磨加工(100μm~)が対応可能となりました※2018.1~
  • サファイア・GaAs・水晶のダイシング加工が対応可能となりました※2017.10~

バックグラインド(BG)加工・ダイシングダミーチップ加工

シリコンウェハー、各種ガラス、セラミック、SiC、GaAs、サファイアの各種ウェハーのバックグラインド(BG裏面研磨、鏡面研磨加工)およびダイシングチップ加工を1枚から量産対応までお受け致します。

主な納入実績

デバイス、アッセンブリー、半導体製造装置、半導体材料各メーカー、大学研究室

1. シリコンウェハー BG加工

項目 Unit 仕様
サイズ inch 4、5 6、8、12
厚み μm 100~ 50~
鏡面研磨 inch   ドライポリッシュ、CMP 
ホイール            2000、6000、8000
梱包              プロトスキャリア(※縦置きも可)
枚数 lot                                                             1枚~
       
備考   1.バンプ・MEMSウェハーも対応可能です
  2.6、8インチは最薄で30μmの実績があります

BG加工品の一例

  • 4インチパターンウェハーBG加工
    仕様:30±5μm(裏面♯8000仕上げ)、ダイシングフレーム付
  • 4インチ貫通穴ウェハー研削加工
    仕様:300±20μm、ワックス固定
  • 6インチTAIKOウェハー研削加工
    仕様:外周500μm、内周90±10μm、リム幅5mm、スピンエッチング
  • 8インチTAIKOウェハー研削加工
    仕様:外周725μm(元厚み)、内周75±10μm、リム幅3mm
  • 8インチミラーウェハーエッジトリミング+BG+ポリッシュ加工
    仕様:50±10μm(エッジトリミング+裏面♯6000仕上げ+ドライポリッシュ)、ダイシングフレーム付
  • 8インチ樹脂付きウェハー研削加工
    仕様:樹脂部100μm研削♯2000仕上げ
  • 12インチミラーウェハーBG+ポリッシュ加工
    仕様:100±10μm(裏面♯2000仕上げ+ドライポリッシュ)、プロトスケース梱包
  • 12インチシリコンウェハーサポートガラス貼り合わせCMP研磨加工
    仕様:Si+サポートガラス貼り合わせ/CMP80±10μm(表面粗さ改善、段差解消)

 

2-1. シリコンウェハー ダイシング加工

項目 Unit 仕様
サイズ inch 2~12
チップサイズ mm 0.3~(※最小で0.1mm実績有)
梱包   プラダン(フレーム有・無)or フレームシッパー
枚数 lot 1枚~
       
備考   1.外観検査、チップトレイ詰め対応も可能です
  2.ダミーチップ、TEGチップの製作も承っております

ダイシング加工の一例

  • 6インチバックメタルチップ加工
    成膜仕様:Ti50nm/Ag100nm
    加工仕様:BG加工100μm、チップサイズ1.1×1.1mm、全数トレイ詰め
  • 6インチSIN(100nm)膜ウェハーチップ加工
    チップサイズ10x10mm、500個トレイ詰め
  • 8インチTAIKOウェハーダイシング加工                                            加工仕様:5x5mm(※サークルカット⇒UV照射⇒リング除去⇒ダイシング)
  • 8インチバックメタルチップ加工
    成膜仕様:Ti50nm/Au100nm
    加工仕様:BG加工100μm、チップサイズ0.7×0.7mm
  • 8インチTEGウェハーチップ加工
    加工仕様:BG加工90μm、チップサイズ0.5×0.5mm
  • 12インチミラーウェハーDAFテープチップ加工
    加工仕様:BG加工100μm、チップサイズ2x2mm

 

2-2. 各種ガラス、セラミック

項目 Unit 仕様
    ダイシング
サイズ   厚み0.2mm~ チップサイズ0.8mm~
枚数 lot 1枚~

ダイシング加工の一例

  • 50mm(t=0.2)アルミナセラミックス基板ダイシング加工
    加工仕様:チップサイズ4x3mm
  • 100mm(t=0.3)合成石英ガラス基板ダイシング加工
    加工仕様:チップサイズ1x1mm
  • 100mm(t=0.7)無アルカリガラス基板ダイシング加工
    加工仕様:チップサイズ10x10mm
  • 4インチテンパックスガラス基板チップ加工
    加工仕様:研磨加工100μm、チップサイズ10x10mm
  • 6インチBK7(t=1mm)ガラス基板チップ加工                               加工仕様:チップサイズ30x30mm
  • 窒化ケイ素基板チップ加工                                        加工仕様:チップサイズ10x10mm

 

2-3. SiCウェハー

項目 Unit 仕様
    サイズ2~6インチ
    研磨 ダイシング
サイズ   厚み100μm~(鏡面研磨可) チップサイズ1mm~
枚数 lot 1枚~
       
備考   1.4インチは最薄で仕上げ厚み50μm、6インチは80μmの実績があります
  2.バックメタルウェハー(Au・Ag)の研磨・ダイシング対応も可能です

研磨・ダイシング加工の一例

  • 2インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
    成膜仕様:C面Ti/Ag
    加工仕様:Si面BG加工200μm、チップサイズ1.5×1.5mm
  • 4インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
    成膜仕様:C面Ti/Ni/Au
    加工仕様:Si面鏡面研磨加工100μm、チップサイズ4x4mm
  • 6インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
    成膜仕様:C面Ti/Ni/Au
    加工仕様:チップサイズ2x2mm、全数トレイ詰め
  • 6インチSiCウェハー研磨加工+DAFテープ貼り付け
    加工仕様:C面鏡面研磨加工80μm+DAFテープ貼り付け出荷

 

3. GaAsウェハー、サファイアウェハー

項目 Unit 仕様
    サイズ2~6インチ
    研磨 ダイシング
サイズ   厚み100μm~ チップサイズ0.3mm~
枚数 lot 1枚~
       
備考   1.GaAsウェハーは量産加工対応も可能です

研磨・ダイシング加工の一例

  • 3インチサファイア基板                                                                                             仕様:鏡面研磨加工(100±10μm)
  • 4インチサファイア基板(t=1mm)チップ加工                                                                  仕様:10x50mm                                        
  • 4インチGaAs基板チップ加工
    加工仕様:裏面BG研磨100μm、チップ加工0.3×0.3mm
  • 6インチGaAs基板研磨加工
    加工仕様:裏面BG研磨90μm

 

その他の加工

  • 2インチGaN基板チップ加工 仕様:鏡面研磨200±20μm、チップ加工2x2mm
  • 30mm角窒化ケイ素基板研磨工 仕様:裏面研磨加工(300±10μm)
  • シリコンウェハーサイズダウン加工・・・8インチ⇒4インチx2枚取り
  • シリコンウェハーφ0.2mm穴あけ加工(厚さ要相談)
  • シリコンウェハー2ndオリフラ追加工(形状相談)
  • サファイアウェハーサイズダウン加工・・・6インチ⇒4インチ
  • ウエハー再生研磨加工・・・膜除去後、研磨機にて鏡面研磨。6~12インチ対応
  • ウェハー洗浄加工・・・パーティクル測定使用済みウェハーのRCA洗浄。洗浄後パーティクルレベル0.3μm≦50、2~12インチ対応