ウェハー成膜受託加工
更新情報
- 反りウェハーの制作が可能となりました※2023.9～
- 12インチ熱酸化膜20,000Åウェハーの端数在庫があります※2021.12～
- 8インチAu・Agウェハーの端数在庫があります。バックメタル評価用で採用されております※2020.11～
- 4,6,8,12インチ熱酸化膜(1,000Å、5,000Å、10,000Å)ウェハー、12インチTEOS膜ウェハーの在庫販売を開始しました※2020.10～
- 8インチAlウェハーが大量に入荷しました。ワイヤーボンディング・モールド評価用で多数採用されております※2015.3～⇒終売となりました
主な納入実績
デバイス、アッセンブリー、半導体製造装置、半導体材料各メーカー、大学研究室、行政機関
ウェハー成膜受託加工
シリコンウェハー、各種ガラスウェハー、SiCウェハーへの成膜対応を実施しております。絶縁膜(酸化膜、SiN)、金属膜(Au、Ag)を中心としスパッタ・蒸着・CVD・めっきから選択が可能です。成膜加工品の研磨加工・チップ加工も承っております。成膜品の一部(熱酸化膜、Au、Ag)は在庫もあります。
| 項目 | Unit | 仕様 |
|---|---|---|
| サイズ | inch | 2～12(※材質・膜種類によって異なります) |
| 材質 | シリコン、各種ガラス、SiC、セラミック等 | |
| 成膜方法 | 熱酸化(ウェットorドライ)、スパッタ、蒸着、プラズマCVD、LP-CVD、スピンコート、めっき(Au,Ag,Cu) | |
| 膜種類 | 絶縁膜 |
酸化膜(熱酸化膜・PE-CVD)、SiN(LP-CVD・PE-CVD)、Poly-Si(ドープ有可)、TEOS(PE-CVD、LP-CVD) |
| 導電膜 金属膜 |
Al 、Al-Si 、Al-Cu 、Au 、Ag、Cu、Co、Cr、Ge、Mn、Mo、Ni、ITO、IZO、Pd 、Pl、Pt、Si-Ge、SiC、SiCN、SioN、Ti、 TiN、TiO2、W等 | |
| 枚数 | lot | 別途確認(※サイズ、成膜方法によって異なります) |
成膜品の一例
- 2インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
成膜仕様:C面Ti50nm/Au100nm
加工仕様：Si面鏡面研磨100±10mμ、ダイシング4x4mm - 4インチSiNウェハーチップ加工
成膜仕様：LP-CVD SiN50nm
加工仕様：300±20μm、ダイシング10x10mm、トレイ詰め - 4インチサファイアPtウェハー
成膜仕様:Ti50nm/Pt200nm - 4インチPoly-Si膜合成石英ガラスウェハー
成膜仕様：熱酸化膜1,000Å/LP-CVD ノンドープPoly-Si5,000Å - 4インチSiNウェハーチップ加工
成膜仕様：LP-CVD SiN50nm
加工仕様：300±20μm、ダイシング10x10mm、トレイ詰め - 4インチTEOS膜ウェハー
成膜仕様：PE-CVD TEOS10,000Å - 4インチSiNウェハーRa改善
成膜仕様：LP-CVD SiN100nm
加工仕様：CMP鏡面研磨Ra≦0.1nm - 4インチSiO2膜SiCウェハー
成膜仕様：PE-CVD SiO2 3,000Å - 100mm角Au膜合成石英ガラス基板
成膜仕様：Cr15nm/Au50nm - 6インチPoly-Si(Pドープ)膜シリコンウェハー
成膜仕様：熱酸化膜1,000Å/LP-CVD PドープPoly-Si10,000Å - 6インチSiN膜合成石英ガラス基板
成膜仕様：LP-CVD Si3N4 500nm - 6インチCuめっきウェハーチップ加工
成膜仕様：Ti100nm/Cu150nm/Cuめっき10μm
加工仕様：500±10μm、ステルスダイシング5x5mm - 6インチAl-Siウェハー
成膜仕様：Al-Si(0.5%)3μm
加工仕様：BG300±10μm - 6インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
成膜仕様：C面Ti50nm/Ni100nm/Au100nm
加工仕様：100±10μm、ダイシング2x2mm、トレイ詰め - 6インチCr膜ウェハー
成膜仕様：Cr20nm - 6インチドライ熱酸化膜ウェハー
成膜仕様：10,000ű20% - 6インチCuめっきウェハーチップ加工
成膜+めっき仕様：Ti/Cuスパッタ+Cu電解めっき4μm
加工仕様：ダイシング2x3mm、ダイシングフレーム付、UV照射有 - 200mm角ITO膜ソーダガラス基板
成膜仕様：100nm(透過率85%程度) - 8インチバックメタルウェハー
成膜仕様：Ti50nm/Ni100nm/Au100nm - 8インチ熱酸化膜ウェハーチップ加工
成膜仕様：20,000ű10%
加工仕様：ダイシング100x100mm - 8インチ熱酸化膜(裏面酸化膜除去)ウェハー
成膜仕様：5,000ű10%
加工仕様：300±10μｍ、エッチング+鏡面加工 - 8インチTEOS膜ウェハー
成膜仕様：PE-CVD TEOS10,000Å - 8インチSiN膜ウェハー
成膜仕様：LP-CVD SiN200nm、PE-CVD SiN200nm - 6～12インチ反りウェハー
成膜仕様：反り量200μm狙い、300μm狙い、500μm狙い、700μm狙い、1,000μm狙い ※6,8インチは反り量によっては対応出来ない場合がございます - 12インチAl-Cu膜ウェハー
成膜仕様：Ti50nm/Al-Cu(0.5％)200nm - 12インチCuめっきウェハー 成膜仕様：TaN50nm/Cu100nm/Cu電解めっき3μm
パターニング加工
シリコンウェハー、SiCウェハー、各種ガラスウェハーへのパターニング加工を承ります。フォトマスク手配から成膜→露光→レジスト工程までを管理しご要望に応じて研磨加工・チップ加工も承っております。ご支給ウェハーの部分工程(トレンチエッチング、穴埋め工程)のみもお請けしております。
更新情報
- 6,8,12インチパターン付きウェハーの端数在庫がありますので1枚～販売可能です
ダイシング・BGテスト等、装置条件出し用として使用されております - 6インチは既存TEGマスクを使った試作(3枚～)も承っております
- 8インチEPIウェハーの端数在庫があります
| 項目 | Unit | 仕様 |
|---|---|---|
| サイズ | inch | 4、5、6、8 |
| マスク | フォトマスク | |
| 成膜 | 絶縁膜、金属膜等 | |
| レジスト | ポジレジスト or ネガレジスト | |
| 露光 | i線ステッパー orマスクアライナー(L/Sスペース 0.5μm～) | |
| エッチング | ウェットエッチング orドライエッチング | |
| 洗浄 | 酸、アルカリ洗浄 | |
| 枚数 | lot | 1枚～(※ウェハーサイズ、成膜方法によって異なります) |
パターニング加工品の一例
- 4インチ SiN 10x10mm
- 4インチ Ti/Ni 8x8mm
- 6インチ TiN/Al-Cu 2x2mm
- 6インチ 熱酸化膜/Al-Si/PE-SiN/Niめっき5μm 10x10mm
- 6インチ 熱酸化膜/ノンドープPoly-Si 0.5×0.5mm
- 6インチトレンチエッチング～Poly-Si
- 6インチ Cuめっき5μm 5x5mm
- 8インチ はんだボールφ200μm
- 8インチ 表面Ti/Al/PI 裏面Ti/Ni/Au 5x5mm
- 8インチ 表面Ti/Al/SiN/PI 裏面Ti/Ni/Pd/Au 2x2mm