ウェハー成膜受託加工・パターニング加工

ウェハー成膜受託加工・パターニング加工

更新情報

  • 反りウェハー(SiN膜)の対応が可能となりました※2023.9~
  • 12インチ熱酸化膜20,000Åウェハーの端数在庫があります※2021.12~
  • 8インチAu・Agウェハーの端数在庫があります。バックメタル評価用で採用されております※2020.11~
  • 4,6,8,12インチ熱酸化膜(1,000Å、5,000Å、10,000Å)ウェハー、12インチTEOS膜ウェハーの在庫販売を開始しました※2020.10~
  • 8インチAlウェハーが大量に入荷しました。ワイヤーボンディング・モールド評価用で多数採用されております※2015.3~

主な納入実績

デバイス、アッセンブリー、半導体製造装置、半導体材料各メーカー、大学研究室、行政機関

ウェハー成膜受託加工

シリコンウェハー、各種ガラスウェハー、SiCウェハーへの成膜対応を実施しております。絶縁膜(酸化膜、SiN)、金属膜(Au、Ag)を中心としスパッタ・蒸着・CVD・めっきから選択が可能です。成膜加工品の研磨加工・チップ加工も承っております。成膜品の一部(熱酸化膜、Au、Ag)は在庫もあります。

項目 Unit 仕様
サイズ inch 2~12(※材質・膜種類によって異なります)
材質   シリコン、各種ガラス、SiC、セラミック等
成膜方法   熱酸化(ウェットorドライ)、スパッタ、蒸着、プラズマCVD、LP-CVD、スピンコート、めっき(Au,Ag,Cu)
膜種類 絶縁膜

酸化膜(熱酸化膜・PE-CVD)、SiN(LP-CVD・PE-CVD)、Poly-Si、TEOS(PE-CVD、LP-CVD)

  導電膜
金属膜
Al 、Al-Si 、Al-Cu 、Au 、Ag、Cu、Co、Cr、Ge、Mn、Mo、Ni、ITO、IZO、Pd 、Pl、Pt、Si-Ge、SiC、SiCN、SioN、Ti、 TiN、TiO2、W等
枚数 lot 別途確認(※インチ、成膜方法によって異なります)

成膜品の一例

  • 2インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
    成膜仕様:C面Ti50nm/Au100nm
    加工仕様:Si面鏡面研磨100±10mμ、ダイシング4x4mm
  • 4インチSiNウェハーチップ加工
    成膜仕様:LP-CVD SiN50nm
    加工仕様:300±20μm、ダイシング10x10mm、トレイ詰め
  • 4インチサファイアPtウェハー
    成膜仕様:Ti50nm/Pt200nm
  • 4インチPoly-Si膜合成石英ガラスウェハー
    成膜仕様:熱酸化膜1,000Å/LP-CVD ノンドープPoly-Si5,000Å
  • 4インチSiNウェハーチップ加工
    成膜仕様:LP-CVD SiN50nm
    加工仕様:300±20μm、ダイシング10x10mm、トレイ詰め
  • 4インチSiNウェハーRa改善
    成膜仕様:LP-CVD SiN100nm
    加工仕様:CMP研削Ra≦0.1nm
  • 100mm角Au膜合成石英ガラス基板
    成膜仕様:Ti50nm/Au50nm
  • 6インチSiN膜合成石英ガラス基板
    成膜仕様:LP-CVD Si3N4 500nm
  • 6インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
    成膜仕様:C面Ti50nm/Ni100nm/Au100nm
    加工仕様:100±10μm、ダイシング2x2mm、トレイ詰め  
  • 6インチ膜ウェハー
    成膜仕様:Cr20nm 
  • 6インチドライ熱酸化膜ウェハー
    成膜仕様:10,000ű20%                  
  • 6インチCuめっきウェハーチップ加工
    成膜+めっき仕様:Ti/Cuスパッタ+Cu電解めっき4μm
    加工仕様:ダイシング2x3mm、ダイシングフレーム付、UV照射有
  • 200mm角ITO膜ソーダガラス基板
    成膜仕様:100nm(透過率85%程度)
  • 8インチバックメタルウェハー
    成膜仕様:Ti50nm/Ni100nm/Au100nm
  • 8インチ熱酸化膜ウェハーチップ加工
    成膜仕様:20,000ű10%
    加工仕様:ダイシング100x100mm 
  • 8インチ酸化膜ウェハー
    成膜仕様:PE-CVD TEOS10,000Å         
  • 8インチSiN膜ウェハー
    成膜仕様:LP-CVD  SiN200nm                 
  • 12インチ反りウェハー
    成膜仕様:SiN反り量300μm狙い、500μm狙い、700μm狙い、1,000μm狙い              
  • 12インチAl-Cu膜ウェハー
    成膜仕様:Ti50nm/Al-Cu(0.5%)200nm 
  • 12インチCuめっきウェハー                                       成膜仕様:TaN50nm/Cu100nm/Cu電解めっき3μm

パターニング加工

シリコンウェハー、SiCウェハー、各種ガラスウェハーへのパターニング加工を承ります。フォトマスク手配から成膜→露光→レジスト工程までを管理しご要望に応じて研磨加工・チップ加工も承っております。

更新情報

  • 6,8,12インチパターン付きウェハーの端数在庫がありますので1枚~販売可能です
    ダイシング・BGテスト等、装置条件出し用として使用されております
  • 6インチは既存TEGマスクを使った試作(3枚~)も承っております
  • 8インチEPIウェハーの端数在庫があります
項目 Unit 仕様
サイズ inch 4、5、6、8
マスク   フォトマスク
成膜   絶縁膜、金属膜等
レジスト   ポジレジスト or ネガレジスト
露光   ステッパー orマスクアライナー(L/Sスペース 0.5μm~)
エッチング   ウェットエッチング orドライエッチング
洗浄   酸、アルカリ洗浄
枚数 lot 別途確認(※インチ、成膜方法によって異なります)

パターニング加工品の一例

  • 4インチ SiN 10x10mm
  • 4インチ Ti/Ni 8x8mm
  • 6インチ TiN/Al 2x2mm
  • 6インチ 熱酸化膜/ノンドープPoly-Si 0.5×0.5mm
  • 8インチ はんだボールφ200μm
  • 8インチ 表面Ti/Al/PI 裏面Ti/Ni/Au 5x5mm
  • 8インチ 表面Ti/Al/SiN/PI 裏面Ti/Ni/Pd/Au 2x2mm