更新情報
- SiCウェハー研磨評価用(アズスライス、NGグレード)の販売を開始しました※2024.2～
- 合成石英ガラス、テンパックス、無アルカリガラス(イーグルXG)の端数在庫があります※2023.12～
- GaAs、GaN基板の供給元を追加しました※2023.7～
- SOIウェハー活性層0.5μm～の販売を開始しました※2023.5～
- SiCウェハー8インチの販売を開始しました※2023.3～
- LTウェハー、アルミナ(Al2O3)ウェハー、ジルコニア(ZrO2)ウェハーの製造・販売を開始しました※2023.2～
- 2、3、4インチゲルマニウム(Ge)基板の製造販売を開始しました※2020.2～
- 2～4インチサファイア基板が多数入荷しましたので安価にて販売します ※2020.5～
- 2～8インチSOIウェハー新規製造が10枚～対応可能となりました※2019.11～
- 2インチGAN基板、2～6インチGaAs基板の販売を開始しました※2016.9～
主な納入実績
デバイス、半導体製造装置、半導体材料各メーカー、大学研究室、行政機関
ガラスウェハー(ガラス基板)
シリコンウェハーとの貼り合わせ(サポート用)や装置・成膜条件出し用として使用されております。合成石英ガラス、無アルカリガラス( イーグルXG、AN100)、ホウケイ酸ガラス(テンパックス、D263)、白板ガラス(BK7)、ソーダガラスから選択可能です。オリフラやVノッチを付けた丸形状だけでなく角形状、長方形も可能です。
| 項目 | Unit | 仕様 |
|---|---|---|
| サイズ | inch | 2～12 ※角形状、長方形可 |
| 材質 | 合成石英、無アルカリ、ホウケイ酸、白板、光学、ソーダ等 | |
| 厚さ | mm | 0.2～(※材質およびサイズによって異なります)、厚さ公差±0.005mm可 |
| 面状態 | 両面光学研磨仕上げ | |
| オリフラ | オリフラ、Vノッチ(Semi準拠)、真円指定可 | |
| 面精度 | Ra=1nm程度(0.5nm相談可）、TTV指定(≦1.5μm相談可)、反り材質によって相談可 | |
| 面取り | C面取り or R面取り(※インチによって異なります) | |
| パーティクル | クラス1000レベル加工、クラス100レベル洗浄および梱包 | |
| 枚数 | lot | 5枚～(※インチおよび製法によって異なります) |
| 梱包 | コインロール(袋詰め重ね合わせ)、洗浄ケース梱包指定可 |
SOIウェハー
パワーデバイスやMEMS評価用として使用されており2～8インチの対応が可能です。在庫リストがありますので1枚～販売、新規製造は10枚～承っておりカスタムの一例として活性層0.5μm～（マイクロボイド低減）にBOX層0.02～10μmを組み合わせともの、ノンドープウェハー同士の貼り合わせ対応も可能です。
| 項目 | Unit | 仕様 |
|---|---|---|
| サイズ | inch | 2～8 |
| 活性層(デバイス層) 仕様 | ||
| 導電型 | P/B、N/Ph、N/As、N/Sb | |
| 面方位 | <100>、<111>、<110> | |
| 抵抗値 | Ωcm | 0.001～≧10,000 |
| 厚さ | μm | 0.5～200 |
| 仕上げ | 研磨仕上げ | |
| BOX層 仕様 | ||
| 厚さ | μm | 熱酸化膜0.02～10 |
| 支持基板(ハンドル層) 仕様 | ||
| 導電型 | P/B、N/Ph、N/As、N/Sb | |
| 面方位 | <100>、<111>、<110> | |
| 抵抗値 | Ωcm | 0.001～≧10,000 |
| 厚さ | μm | 150～2,000 |
| 仕上げ | 研磨仕上げ or 熱酸化膜 | |
| 枚数 | lot | 在庫品1枚～、新規製造10枚～(※仕様によっては5枚も可) |
SICウェハー
LEDやパワー半導体等の評価用として使用されており２、４、６、8のダミーグレードを在庫販売しております。バックメタルチップ(Au,Ag)の製作、バックグラインド研磨(100μm～)、ダイシング加工(2mm～)も承っております。研磨評価用の安価品(アズスライス品、NGグレード)もございます
| 項目 | Unit | 仕様 |
|---|---|---|
| サイズ | inch | 2、4、6、8(※2インチは無くなり次第終売) |
| グレード | プロダクション、モニター、ダミー | |
| タイプ | 4H-N/4H-半絶縁性 | |
| 厚さ | μm | 330～ |
| 面状態 | Si面：CMP/C面：光学鏡面、アズスライス | |
| オリフラ | 1stオリフラ、2ndオリフラ | |
| オフ角度 | 4°±0.5° | |
| 枚数 | lot |
1枚～（※インチ、タイプによって異なります） |
Geウェハー
ゲルマニウムはシリコンより狭いバンドキャップを持つ為、省電力用デバイスとして注目されており半導体や 電子デバイス用として単結晶2、3、4インチをインゴットから切り出し製造販売しております。
| 項目 | Unit | 仕様 |
|---|---|---|
| サイズ | inch | 2、3、4 |
| 厚さ | μm | 200～ |
| 面状態 | アズスライス、片面ミラー、両面ミラー | |
| 導電型 | P型、N型、アンドープ | |
| 面方位 | <100>、<111>、<110> | |
| 抵抗値 | Ωcm | 0.005～、0.01～、1～、40～ |
| 枚数 | lot | 5枚～(※サイズによって異なります) |
その他のウェハー
- サファイアウェハー・・・2、4、6インチ 安価品、両面鏡面仕上げ品、端数品多数在庫有
- GaAsウェハー・・・2、4、6インチ端数在庫有
- GANウェハー・・・2インチ、4インチ(※Pグレード、Rグレード、ダミーグレード) 各種在庫有
- LTウェハー・・・4インチ 片面ミラー/裏面ラップ、色、 カット指定可
- ジルコニアウェハー、アルミナウェハー・・・例) 4インチオリフラ付き